第630章 我要知道关于他的一切！（2/2）

国籍：波斯。出生年月：1954年3月。现职：德黑兰大学，应用数学系，正教授。

档案中附上了他三篇被认为最具代表性的论文。

其中一篇发表于1993年、题为《基于自适应网格与变分原理的深亚微米MOSFET二维/三维耦合电热输运高效求解新算法》的论文摘要，让祁同伟的呼吸为之一滞。

MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管）是芯片中最基本、最核心的器件。

其性能，尤其是在深亚微米尺度下，受到电场、热场、载流子输运等多种物理场的强烈耦合影响，

其建模和仿真一直是半导体行业的核心难题，计算量巨大，精度与效率难以兼得。

主流解决方案是依赖越来越强大的超级计算机，进行暴力数值计算。

而罗斯塔姆在这篇论文中，提出了一条截然不同的路径。

他摒弃了传统的、依赖精细网格划分的有限元或有限体积法，而是引入了一套基于“变分原理”和“自适应网格技术”的全新数学框架。

其核心思想是：不去试图精确计算每一个点的物理量，而是通过巧妙的数学变换，将原问题转化为一个寻找某个“能量泛函”极值的问题，

并设计了一套能够根据解的特性自动加密或稀疏计算网格的智能算法。

这样，他能够将计算资源“精准投放”到物理变化最剧烈、最影响最终结果的关键区域，而在其他相对平缓的区域则大幅减少计算量。

论文中展示的算例结果令人震惊：

在个人工作站级别的计算机上，他的新算法在保证关键参数（如驱动电流、泄漏电流、阈值电压漂移）精度与商业高端仿真软件相当的前提下，

将计算时间降低了两个数量级！

并且，算法对工艺波动（这是导致汉芯首次流片失败的主要原因之一）具有天然的鲁棒性分析能力。

“天才……这才是真正的天才构想！”

祁同伟忍不住低声喝彩。

这不仅仅是一个算法改进，这是一种范式的转变！

它完美地诠释了什么是“用巧劲代替蛮力”，什么是“在约束条件下寻求最优解”。这恰恰是当前被封锁、被限制的汉芯团队，最急需的思维方式！

他立刻下令：

“杜厅长，集中所有资源，深度挖掘罗斯塔姆！

我要知道他的一切：

全部论文、未发表的手稿、博士论文、在德国的研究经历、回国后的每一个项目、在德黑兰大学的处境、他的学生、他的合作者、他的家庭、他的社会关系、他对波斯当前政权的真实看法、他的性格弱点、他的理想抱负……

所有细节，越详细越好！”

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